具有强电子关联的异质结构的电容与压缩率

在单带模型中，与排斥性局域相互作用相关的强电子关联会抑制电子压缩率，而相应金属薄膜的电容与其电子压缩率直接相关。当对系统实施两种扩展时，这两种陈述可能会发生显著改变，我们在此对此进行研究：（i）我们引入吸引性最近邻相互作用 $V$ 作为排斥性在位排斥 $U$ 的拮抗项，以及（ii）我们考虑由这些系统的二维层组装而成的纳米结构多层膜（异质结构）。我们在基于 Kotliar-Ruckenstein 奴隶玻色子技术的强耦合评估中，确定了异质结构各自的总压缩率 $\kappa$ 和电容 $C$。尽管对于接近半填充的电子密度 $n$，电容 $C(n)$ 受到抑制——表现为 $C(n)$ 中一个由关联引起的凹陷——但在接近范霍夫奇点时，它可能会显著增强。此外，我们证明，对于吸引性和排斥性 $V$，在接近半填充时，电容可能是 $U$ 的非单调函数。压缩率 $\kappa$ 可能与 $C$ 有实质性差异，因为 $\kappa$ 对内部静电能非常敏感，而后者又取决于异质结构的具体配置。特别是，我们证明，具有极性电介质的电容器比具有相同电容的标准非极性电容器具有更小的电子压缩率，并且在抵抗相分离方面更稳定。