高磁导率磁屏蔽体与简单几何导体产生的磁场噪声计算

高磁导率磁屏蔽体会产生磁场噪声，这可能限制现代精密测量的灵敏度。我们表明，基于涨落 - 耗散定理的计算允许对高磁导率材料制成的 enclosure 内部由电流或磁化涨落引起的磁场噪声进行定量评估。针对几种轴对称几何结构推导了噪声的显式解析公式，并将其与数值有限元分析的结果进行了比较。比较了高磁导率屏蔽体内部由电流和磁化涨落引起的噪声，以及磁性和非磁性导电壳层内部由电流涨落引起的噪声。提出了一个简单模型来预测准静态区域之外噪声谱的幂律衰减。我们的结果可用于评估现有屏蔽体的噪声，并指导用于精密测量的新屏蔽体的设计。