使用 sp3d5s*+$\Delta$ 模型计算 3C-SiC 的能带结构
应用物理
2019-01-23 v1
摘要
我们报道了一个包含 sp3d5s* 轨道和自旋轨道耦合效应的 3C-SiC 半经验紧束缚模型。在本工作中，我们详细阐述了基于 Slater-Koster 积分为闪锌矿结构半导体构建此类模型的方法，并解释了利用该模型拟合实验结果的优化方法。该方法在评估 3C-SiC 能带图方面展现出高精度，无论是在高对称点的实验能级还是有效质量方面均如此。
引用
@article{arxiv.1901.06600,
title = {Calculating the Band Structure of 3C-SiC Using sp3d5s*+$\Delta$ Model},
author = {Murat Onen and Marco Turchetti},
journal= {arXiv preprint arXiv:1901.06600},
year = {2019}
}