C轴电阻率与高温超导电性

最近我们提出了一种关于高T$_c$层状铜氧化物正常态C轴电阻率的机制，该机制涉及强面内电子-电子散射对弱耦合平面间单粒子隧穿的阻塞。这给出了C轴电阻率跟踪ab面T线性电阻率的结果，正如在高温极限下观察到的那样。在本工作中，该机制对其层状铜氧化物基态能量和超导电性的影响进行了进一步研究。现在认为，与单粒子隧穿不同，在BCS型相干尝试态中制备的平面间的玻色子类对的隧穿保持不被阻塞，因为后者通过构造是配对湮灭算符的本征态。由此产生的沿C轴的对离域为配对尝试态提供了能量上的相对优势，从而稳定了超导电性。在该方案中，层状系统的强关联性质仅通过阻塞效应进入，即给定电子被其他电子作为环境有效地反复监测（面内散射），时间尺度短于层间隧穿时间。还简要讨论了与该领域几位工作者提出的其他层间配对机制的可能关系。