超导 Pr1-xCexPt4Ge12 中的时间反演对称性破缺

我们报道了关于填充式方钴矿超导体 Pr$_{1-x}$Ce$_{x}$Pt$_4$Ge$_{12}$（$x = 0$、0.07、0.1 和 0.2）的零场缪子自旋弛豫实验结果，以研究 Ce 掺杂对超导态中时间反演对称性（TRS）破缺的影响。在这些合金中，TRS 破缺以下超导转变温度时出现的自发静态局域磁场 $B_s$ 为标志。我们发现 $B_s$ 随 $x$ 线性减小，并在 $x \approx 0.4$ 时趋于 0，该浓度接近不再观察到超导电性的浓度。(Pr,Ce)Pt$_4$Ge$_{12}$ 与同结构的 (Pr,La)Os$_4$Sb$_{12}$ 合金系列均表现出具有 TRS 破缺的超导电性，且在两者中 $B_s$ 的减小都与 Pr 浓度的减小成正比。这表明 Pr-Pr 位间相互作用导致了 TRS 破缺。两个合金系列的不同之处在于，La 掺杂合金在所有 La 浓度下均超导，这意味着在 (Pr,Ce)Pt$_4$Ge$_{12}$ 中 Ce 掺杂引起的对破缺抑制了超导电性。对于所有 $x$，动态缪子自旋弛豫率在超导态中均有所降低。这可能是由于传导电子的 Korringa 弛豫所致，而超导能隙的打开减少了这种弛豫。