用于偏压可调、GHz频率应力生成的BPZT高声体波谐振器
应用物理
2021-06-04 v2 材料科学
摘要
由于假定在 GHz 频率下存在大的介电/铁电损耗，诸如 PZT 等强压电材料的高频性能仍相对较少被探索。近来，磁电技术作为激发磁化动力学的片上途径出现，为推动评估 PZT 在微波频率下的机电性能提供了动力。本工作中，我们展示使用钡掺杂 PZT（BPZT）薄膜制备的 HBAR 可有效产生高达 15 GHz 的声波。BPZT 的铁电性以机电性能电压可调的形式赋予谐振器附加功能。我们通过数值比较 BPZT 与 Mason 模型的性能来提取压电系数。提取的压电系数约 60 pm/V 与报道的薄膜 PZT 在低频（<100 MHz）下测量值吻合良好。我们的结果表明，通过器件设计与材料工艺的进一步改进，BPZT 谐振器可作为 GHz 频率下大振幅、可调应力换能器工作。
引用
@article{arxiv.1909.03702,
title = {BPZT HBARs for bias-tunable, stress generation at GHz frequencies},
author = {U. K. Bhaskar and D. Tierno and G. Talmelli and F. Ciubotaru and C. Adelmann and T. Devolder},
journal= {arXiv preprint arXiv:1909.03702},
year = {2021}
}
备注
This work was funded through the FETOPEN-01-2016-2017-FET-Open research and innovation actions (CHIRON project: Grant Agreement No. 801055) and was partly supported by the French RENATECH network