通过同位素无序提升碳纳米管中的电子输运
材料科学
2009-05-20 v1
摘要
金属碳纳米管(CNTs)的电流/电压曲线在高偏压下显示出电阻率的突然增加，这是由于电子与具有异常高布居的热声子散射所致。这里，我们表明通过C13同位素富集可以改善金属碳纳米管的电性能。事实上，同位素无序为热声子的去激发创造了额外的通道，降低了它们的布居，从而降低了纳米管的高偏微分电阻。这是一个无序改善电子输运的非凡案例。
引用
@article{arxiv.0905.3034,
title = {Boosting electronic transport in carbon nanotubes by isotopic disorder},
author = {Niels Vandecasteele and Michele Lazzeri and Francesco Mauri},
journal= {arXiv preprint arXiv:0905.3034},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 4 figures