离链掺杂 Haldane 能隙体系 Y$_2$ Ba Ni O$_5$ 中的键掺杂与点掺杂模型
强关联电子
2009-10-31 v1
摘要
使用密度矩阵正交化规范技术，我们计算了两种不同于链内掺杂 Y Ba Ni O 准一维 Heisenberg 链化合物的有效模型的杂质能级：铁磁键掺杂和反铁磁自旋 1/2 点掺杂。两种模型中均找到了杂质强度出现局域态的阈值。然而，对于弱杂质强度，两种模型的基态及低能激发态不同，此差异可通过实验检测。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9811084,
title = {Bond-versus-site doping models for off-chain-doped Haldane-gap system Y$_2$ Ba Ni O$_5$},
author = {Jizhong Lou and Shaojin Qin and Zhaobin Su and Lu Yu},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9811084},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 5 eps figures included, to be published in Phys. Rev. B