双子畴产生双子畴：由电流和磁场诱导的增殖与聚集

纳米和微米尺度拓扑自旋织构的聚集在自旋电子技术中具有实际应用。在此，作者报道了在体块手性磁体中由面内电流诱导的双子畴增殖与聚集。研究发现，自旋转移力矩仅在存在适当面外磁场时才能诱导双子畴的增殖与聚集。研究还发现，相对较小的阻尼和相对较大的非绝热自旋转移力矩可能导致更明显的双子畴增殖与聚集。特别是，电流密度必须大于某个阈值才能触发增殖；即，在弱电流注入下，双子畴可能仅被驱动为平移运动。此外，作者发现聚集的双子畴在电流注入后可弛豫为带有少量晶格结构缺陷的变形蜂窝状双子畴晶格。这些结果对于开发利用大量聚集双子畴的仿生自旋电子器件具有广阔前景。这些发现也为研究自旋电子系统中的聚集诱导效应（如聚集诱导的晶格相变）提供了一个平台。