DAMPE 轻子能谱中拐折的贝叶斯分析

近期，DAMPE 发布了其关于约 $25$ GeV 至 $4.6$ TeV 高能宇宙射线电子与正电子（CREs）的首批结果，直接探测到在 $\sim 1$ TeV 处的拐折。该结果为研究 CREs 超出的源提供了绝佳机会。本工作中，我们使用质子与氦通量数据（来自 AMS-02 与 CREAM）、$\bar{\mathrm{p}}/\mathrm{p}$ 比值（来自 AMS-02）、正电子通量（来自 AMS-02）以及 CREs 通量（来自 DAMPE，不含 $\sim 1.4$ TeV 处的峰值信号点）同时进行全局拟合，从而精确考虑传播模型、原子核与电子原初源注入以及次级轻子产生的影响。对于解释轻子能谱超出的额外源，我们考虑两种独立情形（脉冲星与经轻子道的暗物质湮灭）来构造 $\gtrsim 100$ GeV 处的隆起以及 $\sim 1$ TeV 处的拐折。结果表明：（i）在脉冲星情形下，注入谱指数应为 $\nu_{\mathrm{psr}} \sim 0.65$，截断应为 $R_{c} \sim 650$ GV；（ii）在暗物质情形下，暗物质粒子质量 $m_{\chi} \sim 1208$ GeV，截面 $\langle \sigma v \rangle \sim 1.48 \times 10^{-23} \mathrm{cm}^{3} \mathrm{s}^{-1}$。此外，在暗物质情形下，$\tau \bar{\tau}$ 湮灭道被高度抑制，并构建了一个暗物质模型以满足拟合结果。