硅杂质导致金属性碳纳米管带隙打开
材料科学
2010-01-04 v2
摘要
控制碳纳米结构的带隙是碳基纳米电子器件发展和主流应用的关键。我们报告了硅杂质对碳纳米管(CNTs)电子性质影响的密度泛函理论计算。我们发现，即使硅原子的线密度低到不足以形成键合原子链，硅吸附原子也能在本征金属性CNT中打开带隙。在金属性CNT中打开的带隙范围可在0.10 eV至0.47 eV之间，具体取决于吸附位点、硅吸附原子的线密度以及CNT的手性。
引用
@article{arxiv.0912.4090,
title = {Bandgap opening in metallic carbon nanotubes due to silicon impurities},
author = {Branden B. Kappes and Cristian V. Ciobanu},
journal= {arXiv preprint arXiv:0912.4090},
year = {2010}
}
备注
3 eps figures, extended text