MnTe中带结构的温度和应变控制
强关联电子
2026-03-24 v1 材料科学
摘要
测量六方晶型锰镍化物 (MnTe) 的光导谱随温度和应变的变化，揭示了从自旋分裂带到受体能级的太赫兹（THz）区吸收。太赫兹吸收峰的温度依赖性与铁磁相变的依赖性一致，尽管MnTe不表现出净磁性。将温度依赖性归因于altermagnetic电子结构的变化。在光学声子吸收中观察到类似Fano的反称线状图，这源于光学声子与自旋分裂带之间的相互作用。此外，在负单轴压力下，THz峰偏离费米水平 (EF)，这表明EF之外能级处的自旋分裂带，其自旋分裂角度减小，符合理论预测。THz峰的观察行为清楚地表明MnTe具有altermagnetic电子结构。
关键词
引用
@article{arxiv.2603.21455,
title = {Band structure control in the altermagnetic candidate MnTe by temperature and strain},
author = {Shin-ichi Kimura and Hironao Suwa and Kangle Yuan and Hiroshi Watanabe and Takuto Nakamura and Haan Kyul Yun and Myung-Hwa Jung},
journal= {arXiv preprint arXiv:2603.21455},
year = {2026}
}
备注
Main 5 pages and 4 figures, supplementary material 4 pages, 3 figures