扭曲半导体双层中量子反常霍尔区的能带混合

近期的显著实验在零磁场和异常高温下于扭曲半导体双层 $t$MoTe$_2$ 中观测到了分数量子反常霍尔（FQAH）效应。这些实验中一些引人注目的观测，例如在观测到分数量子霍尔效应的扭曲角处整数霍尔效应的缺失，仍未被解释。作为扭曲角函数的实验相图尚待建立。通过全面的数值研究，我们表明在全部扭曲角范围 $\theta\leq 4^\circ$ 内，能带混合对竞争态的能量学及其能隙具有巨大的定性和定量影响。这为详细而真实地研究丰富多样强关联扭曲半导体多层体系以及理解这些迷人系统的相图奠定了基础。