GaAs 量子点中背作用驱动的电子自旋单态 - 三重态激发
介观与纳米尺度物理
2015-03-19 v2
摘要
在单个量子点（QD）中，电子因附近量子点接触（QPC）的背作用而偏离热平衡。我们发现，当激发态的弛豫速率远慢于随机电报信号（RTS）的隧穿速率时，可通过 RTS 统计特性探测向能量激发态的驱动。我们研究了最后几个电子，发现仅在所有电子数为偶数时，才会发生背作用驱动的自旋单态 - 三重态（S-T）激发。我们建立了一个唯象模型，以定量表征自旋 S-T 激发速率，从而能够评估背作用对基于自旋 S-T 的量子比特操作的影响。
引用
@article{arxiv.1109.5734,
title = {Back-action Driven Electron Spin Singlet-Triplet Excitation in a GaAs Quantum Dot},
author = {Gang Cao and Ming Xiao and HaiOu Li and Cheng Zhou and RuNan Shang and Tao Tu and GuangCan Guo and GuoPing Guo and HongWen Jiang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1109.5734},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 4 figures