利用高介电常数材料进行模式整形实现7T MRI中的B1+均匀化
医学物理
2019-11-14 v1
摘要
超高场（UHF）脑MRI已通过其提供的增强SNR、对比度以及由更高磁场（B0）带来的更高分辨率证明了其价值。然而，随着UHF MRI的B0增加，发射射频磁场（B1+）的不均匀性也成为需要关注的关键问题之一。当RF的有效波长在B0大于7特斯拉时变得与脑尺寸相当或更小时，UHF MRI增加的B1+不均匀性导致SNR差和对比度不均。尽管已提出并行发射技术（PTx）和高介电常数材料（HPM）结构来缓解B1+不均匀性，但PTx的复杂性以及HPM方法均匀化体积受限仍是挑战。在这项工作中，我们从模式整形的概念出发解决B1+不均匀性。将脑体模视为介电势阱谐振器，我们应用与体模共形的HPM势阱结合低折射率势垒（空气），以在感兴趣区域（ROI）中实现B1+的均匀性。基于在7T下使用真实脑模型的电磁仿真，我们表明所提出的HPM结构分别使轴向切片中B1+的平均偏差降低54%，峰值SAR降低42%。
引用
@article{arxiv.1911.05313,
title = {B1+ Homogenization in 7T MRI Using Mode-shaping with High Permittivity Materials},
author = {Yunchan Hwang and Hansol Noh and Minkyu Park and Jongho Lee and Namkyoo Park},
journal= {arXiv preprint arXiv:1911.05313},
year = {2019}
}