接近 Tc 的 YBCO 单晶中的平均有效钉扎势

V. Yu. Monarkha; A. G. Sivakov; V. P. Timofeev

doi:10.1063/1.4896727

接近 Tc 的 YBCO 单晶中的平均有效钉扎势

超导电性 2015-06-22 v1

作者: V. Yu. Monarkha , A. G. Sivakov , V. P. Timofeev

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摘要

本文展示了我们在相变温度附近 (0.8 < T/Tc > 0.99) 通过高温超导 (HTSC) 样品磁化弛豫测量 M(t) 获得的低密度磁通钉扎特性结果。作为主要研究对象，我们选择了具有最佳氧饱和度的纯 YBa2Cu3O7-x (YBCO) 单晶样品。我们注意到在单向平面缺陷系统中存在强钉扎现象，并且对于低密度俘获磁通，Up(T) 依赖行为表现出显著的非单调性。

关键词

YBCO 单晶磁通钉扎钉扎势磁化弛豫高温超导体平面缺陷相变

引用

@article{arxiv.1407.4304,
  title  = {Averaged effective pinning potential in YBCO single crystals close to Tc},
  author = {V. Yu. Monarkha and A. G. Sivakov and V. P. Timofeev},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1407.4304},
  year   = {2015}
}

备注

2 Pages, 2 figures

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