拓扑缺陷运动与非公度电荷序熔化的原子尺度追踪
强关联电子
2025-01-27 v2 材料科学
摘要
电荷序广泛存在于量子材料的相图中，它与超导相和磁性相竞争，承载电子相变和拓扑缺陷，并与晶格耦合产生复杂的结构畸变。非公度电荷序在锰氧化物中容易稳定存在，并与反常的电子和磁性性质相关联，但其纳米尺度的结构不均匀性使得精确表征及理解其与竞争相之间关系变得复杂。利用原子分辨率变温低温扫描透射电子显微镜，我们表征了模型锰氧化物系统中电荷序从基态转变的热演化过程。我们发现，可移动的向错位和位错网络产生了相不均匀性，并在原本锁定于晶格的调制中诱发了全局非公度性。在高温下驱动该序熔化时，向错位密度增加，且有序区域在局部与晶格周期性解耦。
引用
@article{arxiv.2402.08580,
title = {Atomic-scale tracking of topological defect motion and incommensurate charge order melting},
author = {Noah Schnitzer and Berit H. Goodge and Gregory Powers and Jaewook Kim and Sang-Wook Cheong and Ismail El Baggari and Lena F. Kourkoutis},
journal= {arXiv preprint arXiv:2402.08580},
year = {2025}
}
备注
16 pages, 6 figures