腔 QED 中的原子-场纠缠：非线性与饱和

我们研究了在耗散存在下，原子与受驱腔模之间的纠缠程度。先前工作表明，在弱驱动场极限下，稳态纠缠正比于驱动强度的平方。这种二次依赖关系源于通过产生光子/激发对而生成纠缠。本工作中，我们研究了多光子情况下原子与腔之间的纠缠。产生纠缠需要原子响应的非线性，但当该非线性饱和时纠缠消失。我们假定这是由于自发辐射将原子置于基态，并使原子-场态变为直积态。驱动场的中间值，即接近使原子响应饱和的场强时，使原子-场纠缠最优。在多光子共振出现的参数区间，我们发现纠缠在这些共振处重现。\cite{Shamailov-10} 在该区间，我们发现纠缠随光子数增加而减小。我们还研究了 Alsing 等人 \cite{Alsing-91-DressedState} \cite{Alsing-92-DSS}\cite{Carm-15-X} 的双模区间中，纠缠作为原子和/或腔失谐的函数。此处我们发现有证据表明纠缠中存在相变，发生在 $2\epsilon/g \geq 1$。