评估SCAN泛函在宽禁带半导体与绝缘体深缺陷及小极化子中的表现
材料科学
2024-05-24 v3
摘要
我们发现近年开发的强约束与适当归一（SCAN）泛函（现广泛用于多种材料计算）无法可靠描述一组宽禁带半导体和绝缘体（ZnO、ZnSe、GaN、GaO 和 NaF）中深缺陷与小极化子的性质。通过将使用 SCAN 泛函的第一性原理计算与既有实验信息及使用杂化泛函的第一性原理计算相比较，我们发现 SCAN 泛函系统性低估深缺陷处结构畸变的大小，并倾向于使这些缺陷态的电荷密度离域化。
引用
@article{arxiv.2311.03634,
title = {Assessing the SCAN functional for deep defects and small polarons in wide-bandgap semiconductors and insulators},
author = {Darshana Wickramaratne and John L. Lyons},
journal= {arXiv preprint arXiv:2311.03634},
year = {2024}
}
备注
10 pages, 8 figures