绝热近似在强激光场中单电子和双电子现象中的应用
原子物理
2010-12-27 v1
摘要
绝热近似是描述低频激光辐射诱导现象的自然方法，因为激光频率与原子或分子特征频率之比是一个小参数。由于本研究的主要目标是电离现象，因此必须采用能够描述从束缚态到连续态跃迁的绝热近似版本。尽管该课题已有大量研究，但仍缺乏普遍接受的束缚-自由跃迁绝热方法。因此，基于Savichev改进的绝热近似[Sov. Phys. JETP 73, 803 (1991)]，我们首先推导出适用于当前问题的最方便的绝热近似形式。讨论了所得结果与准经典近似及其他先前研究的联系。然后，将该绝热近似应用于强低频激光场中原子的单电子电离和非序列双电子电离。还研究了单电子分子电离。基于P. D. Hislop和I. M. Sigal的隧穿几何方法[Memoir. AMS 78, No. 399 (1989)]，我们引入了主导隧穿轨迹的概念。随后证明，对于分子隧穿电离的单活性电子模型（即分子势由单电子多中心势建模的理论），主导隧穿轨迹在短程相互作用情况下是线性的，在长程相互作用情况下是“几乎”线性的。结果以形式化和物理直观两个层面呈现。讨论了所证明结论的物理意义。
引用
@article{arxiv.1012.5334,
title = {Applications of Adiabatic Approximation to One- and Two-electron Phenomena in Strong Laser Fields},
author = {Denys Bondar},
journal= {arXiv preprint arXiv:1012.5334},
year = {2010}
}
备注
Ph.D. thesis, http://hdl.handle.net/10012/5677