非线性 GaN/AlN 光子带隙结构中产生的反对称纠缠双光子态
量子物理
2009-11-13 v1
摘要
本文研究了在频率上具有反对称性的纠缠双光子态的性质。在分束器处，两个纠缠光子表现出完美的反关联。此外，尽管它们的探测时间被限制在一个狭窄的时间窗口内，但它们无法在同一时刻被探测到，即它们在时间上呈现反聚束特性。利用由 GaN/AlN 制成的非线性光子带隙结构，本文描述了产生此类态的两种方案。
引用
@article{arxiv.0708.2242,
title = {Antisymmetric entangled two-photon states generated in nonlinear GaN/AlN photonic-band-gap structures},
author = {Jan Perina and Marco Centini and Concita Sibilia and Mario Bertolotti and Michael Scalora},
journal= {arXiv preprint arXiv:0708.2242},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 7 PostScript figures