手性畴壁运动导致的 Nb/Ru/Sr2RuO4 拓扑结中的反常切换
超导电性
2013-08-13 v1
摘要
系统中的自发对称性破缺通常会导致畴壁的形成。此类畴壁的运动被用于实现新型器件，例如赛道存储器（racetrack-memories），其中移动的铁磁畴壁存储并携带信息。破坏时间反演对称性的超导体也可以形成具有简并手性的超导序参量畴。Sr2RuO4 是手性 p 波超导体的主要候选者，预计会伴随手性畴结构。在此，我们展示了 Nb/Ru/Sr2RuO4 拓扑超导结，利用实空间拓扑可以有效探测序参量的相位缠绕，该结表现出在高临界电流态和低临界电流态之间的反常切换。这种切换可以通过手性畴壁动力学得到很好的解释。切换可以部分地由温度、磁场和电流等外部参数控制。这些结果开启了利用超导手性畴壁运动开发未来新型超导器件的可能性。
引用
@article{arxiv.1308.2460,
title = {Anomalous switching in Nb/Ru/Sr2RuO4 topological junctions by chiral domain wall motion},
author = {M. S. Anwar and Taketomo Nakamura and S. Yonezawa and M. Yakabe and R. Ishiguro and H. Takayanagi and Y. Maeno},
journal= {arXiv preprint arXiv:1308.2460},
year = {2013}
}