二维非对称型声子晶体中的反常四极拓扑绝缘体

四极拓扑的发现为拓扑现象研究开辟了新视野。然而，现有在具有 $\pi$-磁通的对称型晶格中四极拓扑绝缘体的实验实现常破坏其保护性镜面对称性。此处，我们提出无磁通非对称型晶体中反常四极拓扑绝缘体的理论，以具有 $p4gm$ 和 $p2gg$ 对称群的二维声子晶体为具体实例。我们揭示反常四极拓扑由方晶格或矩形晶格中的两个正交滑移对称性保护。反常四极拓扑绝缘体的显著特征包括：(i) 拓扑带隙下最少四条能带，(ii) 非简并、有能隙的 Wannier 带及具有有能隙复合 Wannier 带的特殊 Wannier 扇区，(iii) 这些 Wannier 扇区中量子化的 Wannier 带极化。值得注意的是，保护性滑移对称性在声子晶体实现中得以良好保持，其中高阶拓扑转变可由对称性或几何工程触发。