s 波与 s+- 超导体界面处的反常邻近效应
超导电性
2012-12-24 v2 强关联电子
摘要
我们研究了 s 波与 s+- 超导体边界附近的邻近效应。由 s 波能隙参数与 s+- 超导体的异号能隙相互作用引起的挫败导致了若干反常特征。在强挫败情况下，可能出现非平凡的时间反演对称性破缺（TRSB）态，其中所有能隙参数之间存在非零相位角。在更典型的状态下，s 波序参量与其中一个 s+- 能隙对齐。另一个（反 aligned）能隙会在 s 波态密度中诱导负特征，这可作为 s+- 态的指纹。挫败的另一个后果是在参数空间中存在一个扩展区域，其中 s 波超导性受到抑制，尽管其与名义上更强的超导体接触。这种负邻近效应在 TRSB 态中始终存在，但也延伸至对齐态。我们在一个简单的微观模型中研究了这些效应，假设所有能带均处于脏极限，这使我们能够用最少数量的最相关参数对系统进行建模。所描述的反常特征为确立铁基超导体中可能的 s+- 态提供了途径。
引用
@article{arxiv.1207.5565,
title = {Anomalous proximity effects at the interface of s and s+- superconductors},
author = {Valentin G. Stanev and Alexei E. Koshelev},
journal= {arXiv preprint arXiv:1207.5565},
year = {2012}
}
备注
19 pages, 11 figures, expanded Introduction, 9 new references