绝缘蓝宝石上铁磁 Mn$_5$Ge$_3$C$_x$ 薄膜中的反常能斯特效应

研究铁磁体的热电性质对于开发未来用于高效能量转换的微电子器件具有重要意义。居里温度高达 $T_{\rm C}$ = 450 K（远高于室温）的铁磁 Mn$_5$Ge$_3$C$_x$ 薄膜，通过集成到 CMOS 异质结构中，是自旋电子学应用的潜在候选材料。本工作中，实验研究了在蓝宝石 (11-20) 衬底上磁控溅射薄膜的热电势，特别是反常能斯特效应（ANE）。ANE 随碳含量 x 的增加而逐渐增大，在 x=0.8 时达到最大值，这与早先对磁化强度和反常霍尔效应的研究结果一致。与母体化合物 Mn$_5$Ge$_3$ 相比，ANE 增强了三倍。然而，对于 x=0.8，我们观察到计算得到的 ANE 与测量值存在明显偏差。