MgB_2 合金中由费米面诱导的各向异性 T_c 变化
超导电性
2009-11-07 v1 材料科学
摘要
使用相干潜能法描述无序，Gaspari-Gyorffy 方法评估电子-声子耦合，使用 Allen-Dynes 方程计算 T_c，我们显示在 Mg_{1-x}M_{x}B_2（M=Al、Li 或 Zn）合金中（i）T_c 的变化取决于添加/修改的 k 分辨率态在费米面上的位置，（ii）T_c 随浓度变化由 B p 态密度决定。此外，通过对 MgMB_4 的全电位计算，我们显示（i）在 x=0.5 时 Mg_{1-x}Al_{x}B_2 可形成超晶格，但在 Mg_{1-x}Li_{x}B_2 或 Mg_{1-x}Zn_{x}B_2 中不可形成，（ii）B 层向杂质层移动，Al 的移动幅度大于 Li 或 Zn。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0201093,
title = {Anisotropic, Fermi-Surface-Induced Variation in T_c in MgB_2 Alloys},
author = {Prabhakar P. Singh},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0201093},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 4 figs; Submitted to Phys. Rev. Lett