单层TiSe2中电荷密度波的非谐熔化
材料科学
2019-10-29 v1
摘要
具有消失带隙与强电子-空穴相互作用的低维系统被认为不稳定而倾向于激子形成。由于激子结合能在低维中增大，传统观点认为激子绝缘体在二维应比三维更稳定。本文我们研究单层TiSe2中电子-空穴相互作用与非谐性的影响。我们发现，与块体情形及普遍接受的图像相反，二维中的电子-空穴交换相互作用远小于三维，且对声子谱影响可忽略。通过在随机自洽谐振近似内计算非谐声子谱，我们得到孤立未掺杂单层的 TCDW = 440K，以及电子掺杂 n = 4.6 x 10^13 cm^{-2} 时的 TCDW = 364K，接近于支撑样品上200-280K的实验结果。我们的工作表明，非谐性与掺杂使单层TiSe2中的电荷密度波熔化。
引用
@article{arxiv.1910.12709,
title = {Anharmonic melting of the charge density wave in single-layer TiSe2},
author = {Jianqiang Sky Zhou and Lorenzo Monacelli and Raffaello Bianco and Ion Errea and Francesco Mauri and Matteo Calandra},
journal= {arXiv preprint arXiv:1910.12709},
year = {2019}
}
备注
5 pages, 4 figures