SINIS 单电子旋转栅中的安德烈夫隧穿效应
介观与纳米尺度物理
2011-12-15 v2
摘要
我们展示了具有超导引线接触正常金属岛（SINIS）的混合单电子旋转栅的测量结果。我们观察到在射频泵浦下，安德烈夫隧穿电子影响了旋转栅的电流平台特性。数值模拟很好地解释了这些数据。我们验证了安德烈夫隧穿速率对旋转栅充电能量的依赖性。增加充电能量可有效抑制安德烈夫电流。
引用
@article{arxiv.1106.3918,
title = {Andreev tunneling in charge pumping with SINIS turnstiles},
author = {T. Aref and V. F. Maisi and M. V. Gustafsson and P. Delsing and J. P. Pekola},
journal= {arXiv preprint arXiv:1106.3918},
year = {2011}
}
备注
6 pages, 4 figures, 1 table Published version with various improvements to figures and text