自旋阀 SFF 结构的安德烈夫电流与亚隙电导
超导电性
2013-05-16 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
在存在小自旋分裂场的情况下，超导体/绝缘体/铁磁体 (SIF) 结构中的安德烈夫电流和亚隙电导显示出新颖有趣的特征 (A. Ozaeta 等，Phys. Rev. B 86, 060509(R), 2012)。例如，正如作者最近报道的那样，零温下的安德烈夫电流可被小于超导能隙的自旋分裂场 h 增强。此外，在有限温度下，当自旋分裂场接近超导能隙时，安德烈夫电流会出现峰值。最后，低温下的微分亚隙电导在偏置电压 eV = h 处显示出一个峰值。本文研究了 F 层磁化方向任意的 SFF 结构中的安德烈夫电流和亚隙电导。我们表明，上述所有特征现在出现在“有效场”值处，该场是作用于多畴铁磁区域中库珀对的场，并在超导凝聚体衰变进入铁磁体的长度上取平均。我们还简要讨论了所考虑结构中的热输运和电子冷却。
引用
@article{arxiv.1208.4741,
title = {Andreev current and subgap conductance of spin-valve SFF structures},
author = {A. S. Vasenko and A. Ozaeta and S. Kawabata and F. W. J. Hekking and F. S. Bergeret},
journal= {arXiv preprint arXiv:1208.4741},
year = {2013}
}
备注
6 pages, 4 figures, proceedings, to be published in J. Supercond. Nov. Magn