铜酸盐晶界结处的安德烈夫束缚态：上临界场的下界

我们研究了电子掺杂铜酸盐 La$_{2-x}$Ce$_{x}$CuO$_4$ 薄膜晶界结 (GBJs) 中垂直于 CuO$_2$ 层、高达 $B=16$ T 磁场下的面内准粒子隧穿。超导态下的微分电导显示出由于零能表面安德烈夫束缚态导致的零偏压电导峰 (ZBCP)。随着温度 $T$ 升高，若 B=0，ZBCP 在临界温度 $T_c\approx29$ K 处消失；若 B=16 T，则在 $T=12$ K 处消失。由于 ZBCP 与超导态的宏观相位相干性相关，我们认为 ZBCP 在磁场 $B_{ZBCP}(T)$ 处的消失必然发生在超导体的上临界场 $B_{c2}(T)$ 之下。我们发现 $B_{ZBCP}(0) \approx 25$ T，这至少比此前对 $B_{c2}(0)$ 的估计值高出 2.5 倍。