非平衡态安德森模型：量子点输运中的退相干效应

本文研究非平衡双引线安德森模型，该模型被视为描述通过直流偏置量子点输运的恰当模型。利用推广至非平衡态的自洽运动方程方法，我们计算了由偏置电压$V$诱导的四阶退相干率$\gamma^{(4)}$。该退相干率为在近藤区出现的自能红外发散提供了截断。在低温下，态密度中的近藤峰分裂为两个峰，分别钉扎在两个引线的化学势处。这些峰的高度由$\gamma^{(4)}$控制。微分电导的电压依赖性表现出零偏压峰，随后在大$V$处出现一个宽的库仑峰，反映了点内电荷涨落。发现低偏压微分电导是归一化偏置电压$V/T_K$的普适函数，其中$T_K$是近藤温度。在低偏压下，重整化退相干率$\gamma^{(4)}/T_K$也观察到以单一能量尺度$T_K$的普适标度。我们讨论了当温度或偏置电压升高时，$\gamma^{(4)}$对从强耦合到弱耦合区域渡越的影响。