基于位置半导体量子比特非侵入测量运动电荷的分析视角
介观与纳米尺度物理
2020-07-08 v3
摘要
在单电子CMOS器件框架下提出了对自由空间中运动电荷的检测，这为构建用于加速器束流诊断或太阳风探测的新型探测器开辟了前景。在简化紧束缚模型框架下，给出了作用于基于位置的量子比特(实现于半导体量子点中)的噪声的一般现象学模型。进而通过紧束缚方程表述了加速器束流对两个静电耦合量子比特系统的影响。不同拓扑的基于位置的量子比特被描述为运动电荷的量子探测器。关键词：紧束缚模型，基于位置的量子比特，非侵入量子测量，量子比特系统量子退相干，加速器束流诊断，静电噪声，相位旋转门，旋转子基于位置的量子比特
引用
@article{arxiv.2002.08606,
title = {Analytical view on non-invasive measurement of moving charge by position-based semiconductor qubit(s)},
author = {Krzysztof Pomorski},
journal= {arXiv preprint arXiv:2002.08606},
year = {2020}
}
备注
9 figures, 37 pages