Al MKID 谐振器特性分析
超导电性
2018-07-04 v1
摘要
我们利用蒸发或溅射制备的薄膜制备了两种 Al 谐振器，并借助扩展的 Mattis-Bardeen (M-B) 方程及其近似解析表达式研究了它们的品质因数和谐振频率的温度行为。我们发现，在蒸发的 Al 薄膜谐振器中测量到的内部品质因数和谐振频率偏移的温度行为，与 M-B 理论给出的复电导率解析表达式的计算结果非常吻合。在溅射制备的 Al 薄膜谐振器中，内部品质因数和谐振频率偏移在各自温度依赖性上于 0.17 K 附近分别表现出一个峰和一个凸起。研究发现，在 0.15 K 以下，内部品质因数的倒数可由 a-b*log(T) 很好地近似，其中 T 是温度。这种类型的温度依赖性强烈表明存在由 Kondo 效应引起的残余准粒子的磁杂质散射。结果表明，溅射 Al 谐振器中观察到的内部品质因数和谐振频率偏移的温度依赖性，可以通过考虑 Kondo 效应和残余准粒子动能电感的理论得到很好的拟合。
引用
@article{arxiv.1709.10421,
title = {Analysis of characteristics of Al MKID resonators},
author = {Takashi Noguchi and Agnes Dominjon and Yutaro Sekimoto},
journal= {arXiv preprint arXiv:1709.10421},
year = {2018}
}
备注
4 pages, 6 figures This work has been submitted to the IEEE for possible publication