一种用于计算离子注入掺杂剖面的高效分子动力学方案
计算物理
2009-10-31 v1 材料科学
化学物理
摘要
我们提出一种高效的分子动力学方案，用于计算离子辐照材料中掺杂剂的浓度深度剖面。该方案结合了多种降低计算开销的方法，以及一种稀有事件算法，可在掺杂剂浓度跨越数个数量级的范围内获得统计可靠的结果。我们给出了将该方案用于计算晶体硅中掺杂剂浓度剖面的示例。在此，对于高达数百keV能量的沟道与非沟道注入，我们能在五个数量级范围内预测实验剖面。该方案相对于二元碰撞近似(BCA)模拟具有优势，因其不依赖大量经验拟合参数。尽管我们的方案比BCA计算开销更大，但在低离子能量区域远为优越，而该区域中BCA方案失效。
引用
@article{arxiv.physics/9901054,
title = {An Efficient Molecular Dynamics Scheme for the Calculation of Dopant Profiles due to Ion Implantation},
author = {Keith M. Beardmore and Niels Gronbech-Jensen},
journal= {arXiv preprint arXiv:physics/9901054},
year = {2009}
}
备注
17 pages, 21 figures, 2 tables. See: http://bifrost.lanl.gov/~reed/