半导体中具有寿命限制线宽的人造 Rb 原子
量子物理
2016-03-22 v3 介观与纳米尺度物理
摘要
我们报告了对于创建一个兼具双方优势的量子混合系统至关重要的结果，该系统由固态单光子源与作为量子存储的原子系综组成。我们从一个频率匹配 Rb D2 跃迁的 GaAs 量子点 (QD) 产生单光子，然后利用 Rb 跃迁对量子点光子进行光谱分析。我们展示了在共振与非共振激发下均具有寿命限制的 QD 线宽 (1.48 GHz)。低功率区间的 QD 共振荧光以瑞利散射为主，这是匹配量子点与 Rb 原子线宽并塑造 QD 光子时间波包的一种途径。固态环境中的噪声相对温和：共振荧光存在 MHz 速率的闪烁，但 QD 跃迁的上态退相干可忽略不计。因此，我们建立了一个在量子技术关键波长处接近理想的固态单光子源。
引用
@article{arxiv.1508.06461,
title = {An artificial Rb atom in a semiconductor with lifetime-limited linewidth},
author = {Jan-Philipp Jahn and Mathieu Munsch and Lucas Béguin and Andreas V. Kuhlmann and Martina Renggli and Yongheng Huo and Fei Ding and Rinaldo Trotta and Marcus Reindl and Oliver G. Schmidt and Armando Rastelli and Philipp Treutlein and Richard J. Warburton},
journal= {arXiv preprint arXiv:1508.06461},
year = {2016}
}