多极射频阱中对称性破缺的解析研究方法

射频线性多极阱已被证明对其电极的错位非常敏感，这会导致对称性破缺并在囚禁势中引入额外的局域极小值\cite{pedregosa17}，干扰阱的运行。在这项工作中，我们通过将低阶项加入到完善的完美对称八极阱方程中，解析地描述了真实八极阱的射频势。我们用一组已识别的缺陷来表征几何，这些缺陷由简单的解析表达式描述。我们提出了一个适用于任意电极偏差阱的完整方程，该方程依赖于缺陷单独存在时简单情形的组合。我们的方法通过将解析结果与数值结果在缺陷尺寸达阱半径4%范围内进行比较而得到验证。如\cite{pedregosa18}所述，独立微调施加于每个电极的射频电压幅度可用于缓解真实阱的几何缺陷。与\cite{pedregosa18}不同的方式是，势的解析方程的知识使得能够基于阱中离子位置的实验测量，在无需每个电极精确位置信息且迭代次数很少的情况下，设计补偿所需的射频电压集合。该协议的要求、性能和局限性通过数值模拟与解析结果的比较进行了讨论。