小哈伯德环中抗磁响应的放大
强关联电子
2016-07-27 v1
摘要
在本文中，我们研究了具有 个格点和 个电子的小型离散环的电输运性质，其可视为真实芳香族分子的简化版本。特别地，具有六个格点和六个电子的环是我们苯分子的原型。已知哈伯德模型本身无法解释芳香族分子的抗磁磁化率各向异性，该各向异性在它们受到垂直于其基面的外磁场作用时被观测到。因此，我们提出了哈伯德模型的一个扩展，带有一个特定的额外相互作用项，具有两个可调参数。我们的结果表明，该哈伯德模型的扩展能够放大在我们环的基态中建立的持续电流，并且此外，根据可调参数的调节，促进了磁化率各向异性的增强。特别地，对于苯分子的原型，我们恢复了该分子测得的抗磁各向异性的数量级。
引用
@article{arxiv.1607.07473,
title = {Amplification of the diamagnetic response in small Hubbard rings},
author = {Thaís Victa Trevisan and Amir Ordacgi Caldeira},
journal= {arXiv preprint arXiv:1607.07473},
year = {2016}
}
备注
9 pages, 5 figures, with ancillary file (Supplementary Material)