声学 Rashba-Edelstein 效应
介观与纳米尺度物理
2021-09-15 v1
摘要
我们在理论上研究了通过 Rashba 自旋轨道相互作用(SOI)机械诱导自旋密度。基于微观理论计算了线性响应于晶格畸变动力学的自旋密度。我们揭示了自旋诱导存在两种机制:一种是由晶格动力学加速产生的声学 Edelstein 效应(AEE),另一种由 Rashba 自旋涡旋耦合(RSVC)引起。我们发现,与传统的电学 Edelstein 效应相比,AEE 能实现更高效的自旋-电荷转换。由 RSVC 诱导的自旋密度可表示为类 Berry 曲率量;因此,它可归因于 Rashba SOI 导致的空间对称性破缺。我们的工作展示了 Rashba 体系中的高效自旋生成。
引用
@article{arxiv.2107.03115,
title = {Acoustic Rashba-Edelstein effect},
author = {Takumi Funato and Mamoru Matsuo},
journal= {arXiv preprint arXiv:2107.03115},
year = {2021}
}
备注
5 pages, 3 figures