硅和锗中 beta$-tin->Imma->sh 相态转变的 ab initio 研究
材料科学
2009-11-10 v2
摘要
我们对硅和锗的高压相结构序列进行了研究。我们聚焦于 cd->beta-tin->Imma->sh 相态转变。我们采用平面波势函数方法进行密度泛函理论计算，实现了沃斯NET ab-initio 仿真软件包 (VASP)。我们确定了每个结构的平衡属性以及临界参数值，包括相态转变中的滞后效应。相态转变的顺序可通过气压对焓和内部结构参数的依赖性获得。我们指出常用的切线构造方法非常不可靠。我们的计算识别出从 cd 相到 beta-tin 相以及从 Imma 相到 sh 相的一次相态转变，并指出从 beta-tin 相到 Imma 相可能存在二次相态转变。最后，我们推导出各相之间的焓势垒。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0308314,
title = {Ab initio study of the beta$-tin->Imma->sh phase transitions in silicon and germanium},
author = {Katalin Gaal-Nagy and Pasquale Pavone and Dieter Strauch},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0308314},
year = {2009}
}
备注
12 pages, 16 figures