Sn 与 Xe 同位素电荷密度的 ab initio 计算
核理论
2020-11-04 v2 核实验
摘要
我们呈现了越过锡同位素线后开壳层核的首次 ab initio 计算，聚焦于 Xe 同位素以及双幻 Sn 同位素。我们表明，即便对于中等硬度的相互作用，也有可能获得有意义的预言，且 NNLOsat 手征相互作用所预言的半径与电荷密度分布接近实验值。随后我们对 Sn 作出新的预言。这为在当前 ab initio 质量域边界（实验数据正变得可得）的奇异电荷密度分布之 ab initio 研究铺平了道路。本研究弥合了 ab initio 方法可达的最重同位素与电子散射实验可触及的最轻奇异核之间的鸿沟。
引用
@article{arxiv.2002.02214,
title = {Ab initio computation of charge densities for Sn and Xe isotopes},
author = {P. Arthuis and C. Barbieri and M. Vorabbi and P. Finelli},
journal= {arXiv preprint arXiv:2002.02214},
year = {2020}
}
备注
6 pages, 4 figures and 2 tables