斯格明子晶格形成理论
介观与纳米尺度物理
2022-04-15 v3
摘要
本文提出关于手性磁性薄膜中斯格明子晶格(SkX)形成及其迷人热力学行为的通用理论。当度量相对 Dzyaloshinskii-Moriya 相互作用(DMI)强度的参数 足够大时,手性磁性薄膜可具有许多亚稳态,其斯格明子密度任意直至一最大值。在无磁场时,无限薄膜的最低能态是占据整张薄膜的长之字形分支条带斯格明子。在垂直于薄膜的中等磁场下,最低能态具有有限斯格明子密度。这解释了为何当 高于临界值时,手性磁性薄膜常在低场下呈条带状,而仅在最优场附近形成 SkX。当 低于临界值时,无论有无磁场,最低能态仍为条带螺旋态。多亚稳态解释了薄膜各种亚稳态的热力学路径依赖性。 值随温度降低解释了为何在许多斯格明子体系中 SkX 在低温下变为亚稳态。这些发现为 SkX 操控及基于斯格明子的应用开辟了新途径。
引用
@article{arxiv.2101.10104,
title = {A theory of skyrmion crystal formation},
author = {X. C. Hu and H. T. Wu and X. R. Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2101.10104},
year = {2022}
}
备注
15 pages, 12 figures