遍举无粲半导体B衰变与|V_ub|的研究
高能物理 - 实验
2010-04-08 v2
摘要
我们利用16 fb⁻¹的CLEO Υ(4S)数据样本研究了B介子到遍举无粲末态π、ρ/ω、η和η′的半导体衰变。我们测得B(B⁰→π⁻l⁺ν) = (1.37 ± 0.15_统计 ± 0.11_系统) × 10⁻⁴ 和 B(B⁰→ρ⁻l⁺ν) = (2.93 ± 0.37_统计 ± 0.37_系统) × 10⁻⁴，并发现了B⁺→η′l⁺ν的证据，其B(B⁺→η′l⁺ν) = (2.66 ± 0.80_统计 ± 0.56_系统) × 10⁻⁴。根据我们在q² > 16 GeV²区域的B→πlν衰变率和格点QCD，我们得到|V_ub| = (3.6 ± 0.4_统计 ± 0.2_系统 +0.6-0.4_理论) × 10⁻³。
引用
@article{arxiv.hep-ex/0703041,
title = {A Study of Exclusive Charmless Semileptonic B Decay and |V_ub|},
author = {N. E. Adam},
journal= {arXiv preprint arXiv:hep-ex/0703041},
year = {2010}
}
备注
9 pages, 2 figures; revised