TmGa3费米面的正电子研究
材料科学
2007-05-23 v2
摘要
对单晶TmGa3测量了二维角相关湮灭辐射谱，并采用Van Citter迭代法构建的脱卷积算法进行处理。通过Cormack法和改进的傅里叶变换法重构了三维电子-正电子动量密度。在进行三维LCW变换后，得到的k空间密度与带结构LMTO计算结果基本一致。特别地，利用脱卷积后的数据有助于揭示第6带中费米面的细小细节。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0202158,
title = {A positron study of the Fermi surface of TmGa3},
author = {M. Biasini and A. Czopnik and A. Jura and G. Kontrym-Sznajd and M. Monge},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0202158},
year = {2007}
}