在 NISQ 设备上获取精确势能曲线的路径
化学物理
2022-09-23 v1 量子物理
摘要
我们提出一种实用工作流，在近 intermediate-scale 量子（NISQ）设备上计算氢分子的势能曲线。所提方法使用外推方案，仅以少量量子比特给出接近基组极限的全配置相互作用结果。我们表明，尽管受模拟量子硬件噪声特性的限制，若同时估计 Hartree-Fock 基态能量的期望值，仍可能恢复真实的电子关联值。利用两种噪声量子实验模型，我们评估了一种至多需要双 zeta 基组（此例中为 3-21G）的方案性能，并与文献中最精确的 Born-Oppenheimer 势能曲线比较。我们的灵活方法使用简单变分 ansatz 结合直接缓解技术实现，因此期望其也适用于其他能量估计量子方案。
引用
@article{arxiv.2209.11176,
title = {A pathway to accurate potential energy curves on NISQ devices},
author = {Ryan Ward and David M. Benoit and Francesco Benfenati},
journal= {arXiv preprint arXiv:2209.11176},
year = {2022}
}