一种重建半轻子$B$衰变的新方法

带电与中性 $B$ 介子的半轻子衰变在确定CKM矩阵元 $V_{cb}$ 与 $V_{ub}$ 的大小以及检验作为标准模型基本假设的轻子普适性方面起着关键作用。由于半轻子衰变中中微子缺失，测量强烈依赖于反冲侧 $B$ 介子的标记效率，该效率处于千分之几到百分之几的水平，而这正是上述高精度测量与高灵敏度检验的限制因素。我们开发了一种重建 $B$ 介子半轻子衰变的新方法，通过引入由 $B$ 衰变顶点与相互作用点计算出的 $B$ 动量信息，以及如BaBar、Belle和Belle II等 $B$ 工厂中 $e^{+}e^{-}\to B\overline{B}$ 的运动学信息。由于该方法不依赖于反冲侧 $B$ 介子的重建，效率增益可达两个数量级。这使得在 $B$ 工厂对CKM矩阵元 $|V_{cb}|$ 与 $|V_{ub}|$ 的高精度测量以及对轻子普适性的高精度检验更具前景。我们分别给出中性与带电 $B$ 介子半轻子衰变的算法，因为它们受探测器中磁场的影响不同。