CMR 材料和高 T_c 超导体直接射频功率吸收研究的新方法
超导电性
2015-06-25 v1 强关联电子
摘要
描述了用于测量暴露磁阻材料（CMR）和超导体样品直接射频功率吸收的装置的设计、制造与性能。该系统由振荡器驱动的自谐振LC电路组成，驱动方式为 NOT 逻辑门。被检验的样品置于线圈形成的电感 L 的核心中，通过测量电路供给振荡器的电流变化来确定吸收功率。使用定制的低温插入件将实验与商业型 Oxford Instruments 干冰箱和温度控制器集成。该射频振荡器工作在 1 MHz 至 25 MHz 频率范围，基于 IC 74LS04 构建。温度可调节于 4.2 至 400 K，磁场可调至 0 至 1.4 T。该装置能够以 10:1 的信噪比测量体积最小为 1/1000 cm³ 的 CMR 和超导体样品的直接功率吸收。通过对重复测量结果求和可进一步提高灵敏度。通过测量 La₀.₇Sr₀.₃MnO₃（LSMO）CMR 矿石样品和超导体 YBa₂Cu₃O₇（YBCO）样品在不同射频频率下的吸收功率来评估系统性能。所有测量期间的操作均由计算机通过菜单式软件系统自动完成，用户仅需启动测量序列。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0503542,
title = {A new method for direct rf power absorption studies in CMR materials and high T_c superconductors},
author = {S. Sarangi and S. V. Bhat},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0503542},
year = {2015}
}
备注
32 pages including 14 figures