广义 H II 区域的多波段研究
星系天体物理
2024-09-19 v1
摘要
H II 区域是我们银河系中质量大于或等于 的恒星形成场的标志性指示物。已观察到，H II 区域从射电连续辐射推算得到的致电子率显著低于（约 90%）通过红外线通量（由 IRAS 测量）推算得到的致电子率。这一致电子率之间的差异可能源于 H II 区域内存在大量尘埃，或存在被高分辨率射电干涉仪观测未检测到的扩展辐射。本文研究了一组八个含扩展辐射的紧凑型和超紧凑型 H II 区域，以探讨其在解决差异方面的作用。我们使用 uGMRT（1.25-1.45 GHz）和 GLOSTAR 调查数据（4-8 GHz）来估算从射电连续辐射推算的致电子率。我们还通过对红外数据（来自 GLIMPSE、MIPSGAL 和 Hi-GAL 调查）拟合光谱能量分布函数来估算从红外光度推算的致电子率。射电观测对扩展辐射的优异灵敏度使我们能够研究紧凑型和超紧凑型 H II 区域中被尘埃吸收的实际致电子率。除一源外，我们发现紧凑型 H II 区域的射电连续辐射（来自紧凑和扩散成分）与之直接相关。我们的研究表明，如果包括扩展辐射，利用射电和红外数据估算的致电子率在合理范围内一致（相差 5-28%）。我们还发现所有源中都有多个致电子星候选项，且射电观测推算的致电子率与候选星的致电子率在合理范围内一致。
引用
@article{arxiv.2407.04123,
title = {A multi-wavelength study of Galactic H II regions with extended emission},
author = {Jyotirmoy Dey and Jagadheep D. Pandian and Dharam V. Lal and Michael R. Rugel and Andreas Brunthaler and Karl M. Menten and Friedrich Wyrowski and Nirupam Roy and Sergio A. Dzib and Sac-Nicté X. Medina and Sarwar Khan and Rohit Dokara},
journal= {arXiv preprint arXiv:2407.04123},
year = {2024}
}
备注
Accepted for publication in A&A. 22 pages, 9 figures, 6 tables