用于获取嵌入磁电介质界面的超薄膜之广义薄层过渡条件(GSTCs)的均匀化技术
光学
2016-11-23 v1
摘要
利用多尺度均匀化方法，我们推导了超薄膜表面处电磁场的广义薄层过渡条件（GSTCs）。构成超薄膜的散射体形状任意，且嵌入在两种不同的磁电介质之间。这些边界条件中的参数被解释为有效的电和磁表面极化率与磁化率，其本身与构成超薄膜的散射体的几何形状相关。
引用
@article{arxiv.1603.09582,
title = {A Homogenization Technique for Obtaining Generalized Sheet Transition Conditions (GSTCs) for a Metafilm Embedded in a Magneto-Dielectric Interface},
author = {Christoper L. Holloway and Edward F. Kuester},
journal= {arXiv preprint arXiv:1603.09582},
year = {2016}
}
备注
15 pages, 5 figures