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用于铍离子囚禁的高功率 626 nm 二极管激光系统

光学 2015-06-15 v1 原子物理 仪器与探测器 量子物理

摘要

我们描述了一种高功率、频率可调谐的外腔二极管激光(ECDL)系统,其波长接近 626 nm,适用于囚禁 9^9Be+^+ 离子的激光冷却。我们将额定输出功率为 170 mW(635 nm)的商用单模激光二极管冷却至约 -31 C,并通过 Littrow 构型选择单一纵模。在我们的装置中,通过多级热电冷却,我们能够在 626 nm 附近获得约 130 mW 的功率,足以高效地倍频至离子化铍所需的约 313 nm 多普勒冷却波长。为了提高非线性频率转换效率,我们通过从激光器的注入锁定获得了更大的可用功率。以此方式,从激光器的全部输出功率均可用于倍频,同时可对主激光器的输出进行分析。我们相信,这种简单的激光系统解决了离子囚禁领域的一个关键需求,并显著降低了与铍离子囚禁实验相关的成本和复杂性。

关键词

引用

@article{arxiv.1304.1947,
  title  = {A high-power 626 nm diode laser system for Beryllium ion trapping},
  author = {H. Ball and M. W. Lee and S. D. Gensemer and M. J. Biercuk},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1304.1947},
  year   = {2015}
}

备注

Related manuscripts available at http://www.physics.usyd.edu.au/~mbiercuk/Publications.html