基于背门的平面德氏体中空穴可调性提升

平面半导体异质结构提供了多样化的器件设计方案，具有可扩展量子计算的前景。近年来，基于应变德氏体的异质结构受到广泛关注，因其强劲且可调的自旋轨道相互作用、低有效质量以及高空穴迁移率。然而，平面系统仍受限于约束势形状与载流子浓度直接相关的限制。本文实现了平面德氏体异质结构的背门设计。背门与顶门组合后，可独立控制载流子浓度及决定器件关键状态属性（如有效质量、g因子和量子寿命）的电场。这种前所未有的控制程度为量子比特属性的工程化提供了可能，促进了双层量子阱的精准调谐，这有望实现更密集的量子比特布局。